Görsel mevcut değil
RGTV80TS65GC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
RGTV80TS65GC11 Hakkında
RGTV80TS65GC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V 40A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.9V Vce(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. Gate charge 81 nC ile hızlı anahtarlamaya olanak tanır. Darbe akımı 160A'ye ulaşabilen cihaz, inverter, motor sürücü, kaynak makinaları ve endüstriyel güç dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. Çalışma sıcaklık aralığı -40°C ile 175°C arasındadır. 234W maksimum güç yönetimi kapasitesi ve düşük switching energy değerleri ile enerji verimli tasarımlara uygun bir çözümdür.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
78 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Gate Charge
81 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
234 W
Supplier Device Package
TO-247N
Switching Energy
1.02mJ (on), 710µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
39ns/113ns
Test Condition
400V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V