Görsel mevcut değil
RGTV80TS65DGC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
RGTV80TS65DGC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGTV80TS65DGC11, 650V kollektör-emitter diyot gerilimi ile çalışan 40A (pulse'da 160A) kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlanmış güç uygulamalarında yüksek voltaj kontrolü gerektiren devrelerde kullanılır. 1.9V'luk düşük açık durumu gerilimi (Vce(on)), 78A maksimum kolektör akımı ve 101ns ters kurtarma süresi ile verimli iletim özelliği sunar. -40°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlayarak, endüstriyel invertörler, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve DC/AC dönüştürücüler gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
78 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Gate Charge
81 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
234 W
Reverse Recovery Time (trr)
101 ns
Supplier Device Package
TO-247N
Switching Energy
1.02mJ (on), 710µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
39ns/113ns
Test Condition
400V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V