Görsel mevcut değil
RGTV80TK65GVC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 2US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
RGTV80TK65GVC11 Hakkında
ROHM Semiconductor RGTV80TK65GVC11, 650V Trench Field Stop IGBT transistördür. 39A (DC) ve 160A (darbe) kollektör akımı kapasitesine sahip olup, 85W maksimum güç yönetebilir. 2µs kısa devre toleransı ile korunmalı tasarımlanmıştır. Gate charge 81nC, switching energy değerleri sırasıyla 1.02mJ (açılış) ve 710µJ (kapanış) şeklindedir. Vce(on) 1.9V @ 15V, 40A test koşullarında ölçülmüştür. -40°C ile 175°C arası çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. TO-3PFM (SC-93-3) paketindedir. Endüstriyel motor sürücüleri, şarj cihazları, fotovoltaik invertörler ve elektrik taşıtları uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
39 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Gate Charge
81 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3PFM, SC-93-3
Part Status
Active
Power - Max
85 W
Supplier Device Package
TO-3PFM
Switching Energy
1.02mJ (on), 710µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
39ns/113ns
Test Condition
400V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V