Görsel mevcut değil
RGTV80TK65DGVC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 2US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
RGTV80TK65DGVC11 Hakkında
ROHM Semiconductor RGTV80TK65DGVC11, Trench Field Stop teknolojisine dayalı bir adet IGBT transistördür. 650V maksimum kolektor-emiter breakdown voltajı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 39A sürekli kolektor akımı ve 160A pulsed akımı ile ağır yüklü devreleri anahtarlamaya uygundur. 2µs kısa devre toleransı sayesinde güç elektronikleri, inverter, motor kontrol ve kaynak cihazlarında korunmalı çalışır. TO-3PFM pakette sunulan bu bileşen, -40°C ile 175°C arasında sıcaklıkta çalışabilir. Düşük açılış/kapanış gecikmesi (39ns/113ns) ve optimize edilmiş switching enerji değerleri ile verimli devre tasarımı sağlar.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
39 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Gate Charge
81 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3PFM, SC-93-3
Part Status
Active
Power - Max
85 W
Reverse Recovery Time (trr)
101 ns
Supplier Device Package
TO-3PFM
Switching Energy
1.02mJ (on), 710µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
39ns/113ns
Test Condition
400V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V