Görsel mevcut değil
RGTV60TS65GC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
RGTV60TS65GC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGTV60TS65GC11, 650V çalışma voltajına sahip bir Trench Field Stop IGBT transistördür. 30A sürekli kolektör akımı ve 120A nabız akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. Gate şarjı 64nC ve 1.9V Vce(on) değeriyle düşük iletkenim kayıpları sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, -40°C ile 175°C arasında çalışır. Anahtarlama enerjisi 570µJ açılış ve 500µJ kapanış değerleriyle hızlı komütasyon özelliğine sahiptir. Endüstriyel güç dönüştürücüler, motor kontrolü, fotovoltaik inverterler ve kaynak makineleri gibi yüksek frekanslı güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
64 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
194 W
Supplier Device Package
TO-247N
Switching Energy
570µJ (on), 500µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
33ns/105ns
Test Condition
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V