Görsel mevcut değil
RGTV60TS65DGC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
RGTV60TS65DGC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGTV60TS65DGC11, 650V çalışma gerilimine sahip 30A kollektör akımı kapasiteli bir Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 1.9V düşük açık durum gerilimi ve 95ns hızlı geri kazanım süresi ile karakterizedir. 64nC kapı yükü, 570µJ açılış ve 500µJ kapalış anahtarlama enerjisi ile verimli anahtarlama performansı sunar. -40°C ile +175°C arasında güvenilir çalışma sağlayan bu IGBT, güç dönüştürücüler, motor sürücüleri, kaynak makineleri ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. 194W maksimum güç kapasitesi ve 120A darbe kollektör akımı ile yüksek yoğunluk uygulamalarına uygundur.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
64 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
194 W
Reverse Recovery Time (trr)
95 ns
Supplier Device Package
TO-247N
Switching Energy
570µJ (on), 500µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
33ns/105ns
Test Condition
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V