Görsel mevcut değil
RGTV60TK65GVC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
RGTV60TK65GVC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGTV60TK65GVC11, 650V 30A kapasitesine sahip Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-3PFM paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama işlevini yerine getirir. 33ns açılış ve 105ns kapanış hızıyla hızlı anahtarlama performansı sağlar. Gate charge değeri 64nC olup, on/off enerji kayıpları sırasıyla 570µJ ve 500µJ'dir. -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. Endüstriyel invertörler, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve UPS sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Maksimum 76W güç disipasyonu kapasitesine sahiptir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
33 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
64 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3PFM, SC-93-3
Part Status
Active
Power - Max
76 W
Supplier Device Package
TO-3PFM
Switching Energy
570µJ (on), 500µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
33ns/105ns
Test Condition
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V