Görsel mevcut değil
RGTV60TK65DGVC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
RGTV60TK65DGVC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGTV60TK65DGVC11, 650V kollektör-emitör breakdown voltajı ile tasarlanmış Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. 30A sürekli kollektör akımı ve 120A darbe akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 76W maksimum güç dağıtım kapasitesi ve 1.9V Vce(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. 95ns geri kurtarma zamanı (trr) ve 33ns/105ns açılma/kapanma gecikmesi yüksek frekanslı anahtarlama işlemlerine uygundur. TO-3PFM/SC-93-3 paketlemesi ile sağlanan bileşen, -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. Endüstriyel motor kontrolü, güç kaynakları ve UPS sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
33 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
64 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3PFM, SC-93-3
Part Status
Active
Power - Max
76 W
Reverse Recovery Time (trr)
95 ns
Supplier Device Package
TO-3PFM
Switching Energy
570µJ (on), 500µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
33ns/105ns
Test Condition
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V