Görsel mevcut değil
RGTV00TS65DGC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
- Ürün Ailesi
- RGTV00TS65DGC11
RGTV00TS65DGC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGTV00TS65DGC11, 650V ve 50A nominal akım değerine sahip bir Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 200A darbe akımı kapasitesi ve düşük Vce(on) değeri (1.9V) ile verimli çalışma sağlar. -40°C ile +175°C arasında stabil performans gösterir. Switching energy değerleri (1.17mJ on, 940µJ off) ve 102ns reverse recovery time ile yüksek hızlı uygulamalara uygundur. Güç kaynakları, motorlu sistemler, AC/DC konvertörler ve endüstriyel kontrol devreleri gibi ağır yük uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
95 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Gate Charge
104 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
276 W
Reverse Recovery Time (trr)
102 ns
Supplier Device Package
TO-247N
Switching Energy
1.17mJ (on), 940µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
41ns/142ns
Test Condition
400V, 50A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V
