Görsel mevcut değil
RGTV00TK65DGC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
RGTV00TK65DGC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGTV00TK65DGC11, 650V/50A sınıfında bir Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-3PFM paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama işlevini yerine getirmek üzere tasarlanmıştır. 104 nC gate charge ve 1.9V @ 15V, 50A VCE(on) değerleriyle düşük konversiyon kayıpları sağlar. 41ns/142ns açılış/kapanış gecikmesi (Td) sayesinde hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. 102 ns reverse recovery time ve 1.17mJ (on) / 940µJ (off) switching energy değerleri ile verimli performans sunar. -40°C ile +175°C arasında çalışan bu IGBT, inverter devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve elektrik konverter uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 200A pulse current kapasitesi ani yük değişimlerine karşı dayanıklılık sağlar.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
45 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Gate Charge
104 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3PFM, SC-93-3
Part Status
Active
Power - Max
94 W
Reverse Recovery Time (trr)
102 ns
Supplier Device Package
TO-3PFM
Switching Energy
1.17mJ (on), 940µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
41ns/142ns
Test Condition
400V, 50A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V