Görsel mevcut değil
RGTH80TS65GC13
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- HIGH-SPEED SWITCHING TYPE, 650V
RGTH80TS65GC13 Hakkında
RGTH80TS65GC13, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. 70A sürekli kollektör akımı ve 160A pulslu akım kapasitesine sahiptir. 234W maksimum güç yönetimi, -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında çalışabilir. TO-247-3 through-hole paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücüleri, inverterler, motor kontrolü ve enerji yönetimi uygulamalarında kullanılır. 79nC gate charge ve 34ns/120ns açılış/kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. 15V gate voltajında 2.1V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahiptir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
70 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Gate Charge
79 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
234 W
Supplier Device Package
TO-247G
Td (on/off) @ 25°C
34ns/120ns
Test Condition
400V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V