Görsel mevcut değil
RGTH80TS65GC13
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- HIGH-SPEED SWITCHING TYPE, 650V
- Aile / Seri
- RGTH80TS65GC
RGTH80TS65GC13 Hakkında
RGTH80TS65GC13, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. 70A sürekli kollektör akımı ve 160A pulslu akım kapasitesine sahiptir. 234W maksimum güç yönetimi, -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında çalışabilir. TO-247-3 through-hole paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücüleri, inverterler, motor kontrolü ve enerji yönetimi uygulamalarında kullanılır. 79nC gate charge ve 34ns/120ns açılış/kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. 15V gate voltajında 2.1V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahiptir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
70 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Gate Charge
79 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
234 W
Supplier Device Package
TO-247G
Td (on/off) @ 25°C
34ns/120ns
Test Condition
400V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V