Görsel mevcut değil
RGTH80TS65GC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
RGTH80TS65GC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGTH80TS65GC11, 650V kollektör-emitör dağılım gerilimi ile tasarlanmış yüksek voltajlı bir Trench Field Stop IGBT transistördür. 40A sabit ve 160A darbe kollektör akımı kapasitesine sahip bu komponent, anahtarlama uygulamalarında düşük geçiş kaybı sağlamak için optimize edilmiştir. 2.1V maksimum Vce(on) değeri ve 34ns/120ns hızlı anahtarlama süreleri ile güç dönüştürücü, inverter, UPS sistemleri ve endüstriyel motor sürücüleri gibi uygulamalarda kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan komponent, -40°C ile 175°C arasında güvenli çalışır ve 234W maksimum güç yönetebilir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
70 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Gate Charge
79 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
234 W
Supplier Device Package
TO-247N
Td (on/off) @ 25°C
34ns/120ns
Test Condition
400V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V