Görsel mevcut değil
RGTH80TS65DGC13
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- HIGH-SPEED SWITCHING TYPE, 650V
RGTH80TS65DGC13 Hakkında
RGTH80TS65DGC13, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V Trench Field Stop tipi yüksek hızlı anahtarlama IGBT transistörüdür. 70A nominal kolektör akımı (160A darbe akımı) ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 234W maksimum güç yönetim kapasitesine sahiptir. Düşük kapı yükü (79nC) ve hızlı anahtarlama özellikleri (turnon 34ns, turnoff 120ns) sayesinde verim kaybını minimalize eder. 2.1V VCE(on) değeri ısı yönetimini kolaylaştırır. -40°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor sürücüleri, şarj cihazları ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
70 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Gate Charge
79 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
234 W
Reverse Recovery Time (trr)
236 ns
Supplier Device Package
TO-247G
Td (on/off) @ 25°C
34ns/120ns
Test Condition
400V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V