Görsel mevcut değil
RGTH80TK65GC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT
- Ürün Ailesi
- RGTH80TK65GC
RGTH80TK65GC11 Hakkında
RGTH80TK65GC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. 31A sürekli collector akımı ve 160A pulse akımı ile endüstriyel uygulamalarda kullanılır. TO-3PFM paketinde sunulan bu komponentin maksimum gate charge değeri 79 nC olup, hızlı anahtarlama özellikleri (Td on/off: 34ns/120ns) sayesinde güç dönüştürücü, inverter ve motor kontrol devrelerinde tercih edilir. -40°C ile 175°C arasında çalışabilmesi geniş uygulama alanı sağlar.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
31 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Gate Charge
79 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3PFM, SC-93-3
Part Status
Active
Power - Max
66 W
Supplier Device Package
TO-3PFM
Td (on/off) @ 25°C
34ns/120ns
Test Condition
400V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V
