Görsel mevcut değil
RGTH60TS65GC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT 650V 58A 197W TO-247N
RGTH60TS65GC11 Hakkında
RGTH60TS65GC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V 58A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında yüksek voltaj ve akım kontrolü için tasarlanmıştır. Maksimum 197W güç disipasyonuna sahip olan transistör, -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. 2.1V Vce(on) değeri ve 27ns/105ns açılma/kapanma zamanları ile verimli anahtarlama performansı sağlar. Endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor kontrolü, kaynak makinaları ve UPS sistemleri gibi uygulamalarda kullanılır.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
58 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
58 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
197 W
Supplier Device Package
TO-247N
Td (on/off) @ 25°C
27ns/105ns
Test Condition
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V