Görsel mevcut değil
RGTH60TS65DGC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT 650V 58A 194W TO-247N
RGTH60TS65DGC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGTH60TS65DGC11, 650V collector-emitter diyelectric gerilimi ile çalışan bir Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. 58A sabit akım kapasitesi ve 120A pulse akımı ile tasarlanan bu komponentin maksimum güç yayılımı 194W'tır. TO-247-3 paketinde gelen transistör, -40°C ile +175°C arası sıcaklık aralığında çalışabilir. Vce(on) değeri 400V, 30A şartlarında 2.1V olarak belirtilmiştir. 58ns ters derişme süresi (reverse recovery time) ve 27ns/105ns açılma/kapanma gecikmesi ile hızlı anahtarlama performansı sunar. 58nC gate charge değeri ile düşük kapılama enerjisine sahiptir. Endüstriyel sürücü uygulamaları, inverter devreleri, motor kontrol sistemleri ve switching power supply'lerde kullanılır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
58 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
58 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
194 W
Reverse Recovery Time (trr)
58 ns
Supplier Device Package
TO-247N
Td (on/off) @ 25°C
27ns/105ns
Test Condition
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V