Görsel mevcut değil
RGTH60TK65GC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT
RGTH60TK65GC11 Hakkında
RGTH60TK65GC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. Maksimum 28A sürekli collector akımı ve 120A darbe akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 61W maksimum güç harcaması ve 2.1V (15V, 30A şartlarında) Vce(on) değeri ile verimli anahtarlama işlemi gerçekleştirir. 58nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sunar. TO-3PFM/SC-93-3 paketinde sunulan bu bileşen, -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Sanayi sürücüsü uygulamaları, güç kaynakları, konverter devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanım için uygundur.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
28 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
58 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3PFM, SC-93-3
Part Status
Active
Power - Max
61 W
Supplier Device Package
TO-3PFM
Td (on/off) @ 25°C
27ns/105ns
Test Condition
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V