Görsel mevcut değil
RGTH60TK65DGC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT
RGTH60TK65DGC11 Hakkında
RGTH60TK65DGC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen Trench Field Stop IGBT transistördür. 650V collector-emitter breakdown voltajı ve 28A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-3PFM paketinde sunulan bu bileşen, 61W maksimum güç yeteneğine sahiptir. 58nC gate charge ve 27/105ns on/off gecikmesi ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bu IGBT, motor kontrol, güç kaynakları, invertör ve kaynak makinaları gibi elektrik motor sürücü ve güç dönüştürme uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
28 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
58 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3PFM, SC-93-3
Part Status
Active
Power - Max
61 W
Reverse Recovery Time (trr)
58 ns
Supplier Device Package
TO-3PFM
Td (on/off) @ 25°C
27ns/105ns
Test Condition
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V