Görsel mevcut değil
RGTH50TS65GC13
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- HIGH-SPEED SWITCHING TYPE, 650V
RGTH50TS65GC13 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGTH50TS65GC13, 650V kollektör-emitter yıkılma gerilimi ile tasarlanmış Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. 50A maksimum kollektör akımı ve 100A pulslu akım kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 27ns açılış ve 94ns kapanış süreleri ile yüksek hızlı anahtarlama performansı sağlar. 49 nC gate charge ile düşük sürüş gücü gerektirir. 2.1V maksimum Vce(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. -40°C ile +175°C arasında çalışabilir ve 174W maksimum güç dissipasyonuna sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulmuş olup, endüstriyel motor kontrol, güç kaynakları, invertörler ve diğer anahtarlamalı güç elektronik devreleri için uygun bir çözümdür.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
100 A
Gate Charge
49 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
174 W
Supplier Device Package
TO-247G
Td (on/off) @ 25°C
27ns/94ns
Test Condition
400V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V