Görsel mevcut değil
RGTH50TS65GC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT 650V 50A 174W TO-247N
RGTH50TS65GC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGTH50TS65GC11, 650V voltaj sınıfında çalışan bir Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 50A sürekli kolektör akımı ve 100A darbe akımı kapasitesi ile enerji dönüştürme uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel invertörler, UPS sistemleri, kaynak makineleri ve motor sürücülerinde yaygın olarak tercih edilir. 174W maksimum güç tüketimi ile tasarlanan IGBT, 2.1V VCE(on) değeri sayesinde düşük enerji kaybı sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, güvenilir ve uzun ömürlü performans sunmaktadır.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
100 A
Gate Charge
49 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
174 W
Supplier Device Package
TO-247N
Td (on/off) @ 25°C
27ns/94ns
Test Condition
400V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V