Görsel mevcut değil
RGTH50TS65DGC13
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- HIGH-SPEED SWITCHING TYPE, 650V
RGTH50TS65DGC13 Hakkında
RGTH50TS65DGC13, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. 50A sürekli ve 100A pulsed kolektor akımı kapasitesine sahip olup, maksimum 174W güç tüketebilir. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında yüksek hız performansı sağlar. 27ns açılış ve 94ns kapanış gecikme süresi ile hızlı komütasyona uygundur. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına dayanıklıdır. Güç dönüştürücüleri, invertörler, motor sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 25A akımda 2.1V olup, verimli enerji dönüşümü sağlar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
100 A
Gate Charge
49 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
174 W
Reverse Recovery Time (trr)
58 ns
Supplier Device Package
TO-247G
Td (on/off) @ 25°C
27ns/94ns
Test Condition
400V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V