Görsel mevcut değil
RGTH50TS65DGC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT 650V 50A 174W TO-247N
RGTH50TS65DGC11 Hakkında
RGTH50TS65DGC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 50A sürekli akım ve 100A pulslu akım kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 25A akımda 2.1V olarak belirtilmiştir. 174W maksimum güç disipasyonu ile endüstriyel güç dönüştürme uygulamalarında, inverter devrelerinde, motor kontrol sistemlerinde ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bu IGBT, 49nC gate charge ve 58ns reverse recovery time özellikleriyle düşük komütasyon kaybı sağlar. Thru-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan monte edilebilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
100 A
Gate Charge
49 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
174 W
Reverse Recovery Time (trr)
58 ns
Supplier Device Package
TO-247N
Td (on/off) @ 25°C
27ns/94ns
Test Condition
400V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V