Görsel mevcut değil
RGTH50TK65GC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT
RGTH50TK65GC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGTH50TK65GC11, 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 26A sürekli kolektör akımı ve 100A pulslu akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. 2.1V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-3PFM paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel uygulamalar, motor sürücüler, güç elektroniği devreleri ve konverter sistemlerinde kullanılır. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olup, 59W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle orta güç uygulamaları için uygundur. 27ns açılış ve 94ns kapanış süresi hızlı anahtarlama yapılması gereken devrelerde tercih edilir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
26 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
100 A
Gate Charge
49 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3PFM, SC-93-3
Part Status
Active
Power - Max
59 W
Supplier Device Package
TO-3PFM
Td (on/off) @ 25°C
27ns/94ns
Test Condition
400V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V