Görsel mevcut değil
RGTH50TK65DGC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT
RGTH50TK65DGC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGTH50TK65DGC11, 650V Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. 26A sürekli collector akımı ve 100A pulslu akım kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-3PFM paketinde sunulan bu bileşen, 59W maksimum güç yönetiminde ve -40°C ile 175°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında çalışmaya uygundur. 49nC gate charge ve 58ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama özelliği sunmaktadır. İnverterler, motor sürücüleri, güç kaynakları ve endüstriyel uygulamalar için kullanılır. 2.1V Vce(on) düşük gerilim kaybı sağlar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
26 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
100 A
Gate Charge
49 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3PFM, SC-93-3
Part Status
Active
Power - Max
59 W
Reverse Recovery Time (trr)
58 ns
Supplier Device Package
TO-3PFM
Td (on/off) @ 25°C
27ns/94ns
Test Condition
400V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V