Görsel mevcut değil
RGTH40TK65GC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT
RGTH40TK65GC11 Hakkında
RGTH40TK65GC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistördür. Maksimum 23A sürekli kolektör akımı ve 80A impulsif akım kapasitesine sahiptir. 56W maksimum harcama gücü ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-3PFM paketinde sunulan bu bileşen, -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. 22ns/73ns on/off gecikmesi ve 40nC gate charge değerleri ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Değiştirici güç kaynakları, motor sürücüleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde tercih edilir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
23 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
80 A
Gate Charge
40 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3PFM, SC-93-3
Part Status
Active
Power - Max
56 W
Supplier Device Package
TO-3PFM
Td (on/off) @ 25°C
22ns/73ns
Test Condition
400V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V