Görsel mevcut değil
RGTH40TK65DGC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT
RGTH40TK65DGC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGTH40TK65DGC11, Trench Field Stop teknolojisini kullanan yüksek gerilim IGBT transistörüdür. 650V reverse blocking kapasitesi ve 23A sürekli collector akımı ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 56W maksimum güç yayma kapasitesine sahip bu komponent, değişken frekanslı anahtarlama uygulamaları, servo sürücüler, kaynak makinaları ve endüstriyel güç kaynakları gibi uygulamalarda yer alır. TO-3PFM paketinde sunulan transistör, -40°C ile 175°C arasında çalışır. 40nC gate charge ve 22ns/73ns turn-on/turn-off süreleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
23 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
80 A
Gate Charge
40 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3PFM, SC-93-3
Part Status
Active
Power - Max
56 W
Reverse Recovery Time (trr)
58 ns
Supplier Device Package
TO-3PFM
Td (on/off) @ 25°C
22ns/73ns
Test Condition
400V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V