Görsel mevcut değil
RGTH00TS65GC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT 650V 85A 277W TO-247N
RGTH00TS65GC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGTH00TS65GC11, 650V kollektör-emiter geriliminde çalışabilen yüksek akım IGBT transistörüdür. Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, maksimum 85A sürekli akım ve 200A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 277W güç yayılımı kabiliyeti ile endüstriyel uygulamalara uygundur. TO-247-3 paket tipi ile montajı kolaydır. -40°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Anahtarlama hızları Td(on) 39ns ve Td(off) 143ns'dir. 2.1V Vce(on) değeri ile az güç kaybı sağlayan bu IGBT, güç elektronikleri, inverter devreleri, motor sürücüleri ve elektrik traction uygulamalarında kullanılır.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
85 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Gate Charge
94 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
277 W
Supplier Device Package
TO-247N
Td (on/off) @ 25°C
39ns/143ns
Test Condition
400V, 50A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V