Görsel mevcut değil
RGTH00TS65DGC13
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- HIGH-SPEED SWITCHING TYPE, 650V
RGTH00TS65DGC13 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGTH00TS65DGC13, 650V voltaj sınıfında yüksek hızlı anahtarlama özellikli bir IGBT transistördür. Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, maksimum 85A kollektör akımı ve 200A darbe akımı kapasitesi sunar. 277W güç disipasyon yetenekleri ile endüstriyel uygulamalarda, motor kontrol sürücülerinde, kaynak makinelerinde ve güç elektronik devrelerinde kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında kararlı performans gösterir. 54ns ters kurtarma süresi ve 39ns/143ns açılma/kapanma gecikmesi ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
85 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Gate Charge
94 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
277 W
Reverse Recovery Time (trr)
54 ns
Supplier Device Package
TO-247G
Td (on/off) @ 25°C
39ns/143ns
Test Condition
400V, 50A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V