Görsel mevcut değil
RGTH00TS65DGC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT 650V 85A 277W TO-247N
RGTH00TS65DGC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGTH00TS65DGC11, 650V kollektör-emiter breakdown voltajı ve 85A maksimum kollektör akımı ile tasarlanmış bir Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, 277W maksimum güç sınırlandırması ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. Gate charge değeri 94 nC olan bu transistör, 2.1V Vce(on) değeri ile verimli iletim sağlar. 54ns reverse recovery time ve 39/143ns açılma/kapanma süreleri ile hızlı anahtarlama özellikleri barındırır. -40°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilen bu komponent, endüstriyel güç dönüştürme, motor kontrol ve enerji dönüştürme uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
85 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Gate Charge
94 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
277 W
Reverse Recovery Time (trr)
54 ns
Supplier Device Package
TO-247N
Td (on/off) @ 25°C
39ns/143ns
Test Condition
400V, 50A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V