Görsel mevcut değil
RGTH00TK65DGC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT
- Aile / Seri
- RGTH00TK65DGC11
RGTH00TK65DGC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGTH00TK65DGC11, 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 35A sürekli kolektör akımı ve 200A pulse akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. Maksimum 72W güç dağıtabilir ve -40°C ile 175°C arasında çalışır. Gate charge 94nC, reverse recovery time 225ns olan bu bileşen, güç dönüştürme, motor sürücü devreleri, kaynak makineleri ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. TO-3PFM through-hole paketinde sunulan komponent, yüksek frekanslı switching operasyonları için uygun tasarımlanmıştır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
35 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Gate Charge
94 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3PFM, SC-93-3
Part Status
Active
Power - Max
72 W
Reverse Recovery Time (trr)
225 ns
Supplier Device Package
TO-3PFM
Td (on/off) @ 25°C
39ns/143ns
Test Condition
400V, 50A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V
İlgili Ürünler
