Görsel mevcut değil
RGT8TM65DGC9
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- FIELD STOP TRENCH IGBT
RGT8TM65DGC9 Hakkında
RGT8TM65DGC9, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 5A (darbeli 12A) kolektör akımı ile çalışır. 400V, 4A test koşullarında 2.1V düşük açık durumu voltajı (Vce(on)) sunar. 13.5 nC gate yükü ve 40 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel uygulamalar, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetim sistemlerinde kullanılır. 16W maksimum güç disipasyon kapasitesi ile orta güç uygulamalarında yer alır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
12 A
Gate Charge
13.5 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Active
Power - Max
16 W
Reverse Recovery Time (trr)
40 ns
Supplier Device Package
TO-220NFM
Td (on/off) @ 25°C
17ns/69ns
Test Condition
400V, 4A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V