Görsel mevcut değil
RGT8NS65DGTL
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- IGBT 650V 8A 65W TO-263S
RGT8NS65DGTL Hakkında
RGT8NS65DGTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 8A maksimum kolektör akımı ile 65W güç seviyesinde çalışabilen bu bileşen, TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 2.1V Vce(on) düşük iletim gerilimi ve 13.5nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliklerine sahiptir. -40°C ile +175°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans sağlar. İndüktif yükler, motor sürücüler, güç kaynakları ve enerji dönüştürme uygulamalarında kullanıma uygundur. Not For New Designs durumunda olup, yeni tasarımlar için alternatif bileşen seçimi önerilmektedir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
12 A
Gate Charge
13.5 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
65 W
Reverse Recovery Time (trr)
40 ns
Supplier Device Package
LPDS
Td (on/off) @ 25°C
17ns/69ns
Test Condition
400V, 4A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V