Görsel mevcut değil
RGT8NS65DGC9
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT
RGT8NS65DGC9 Hakkında
RGT8NS65DGC9, ROHM Semiconductor tarafından üretilen Trench Field Stop tipi IGBT transistörüdür. 650V collector-emitter gerilimi ve 8A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve endüstriyel denetleyici tasarımlarında tercih edilir. 2.1V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 17ns açılış ve 69ns kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama sağlar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
12 A
Gate Charge
13.5 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status
Active
Power - Max
65 W
Reverse Recovery Time (trr)
40 ns
Supplier Device Package
TO-262
Td (on/off) @ 25°C
17ns/69ns
Test Condition
400V, 4A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V