Görsel mevcut değil
RGT8NL65DGTL
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- FIELD STOP TRENCH IGBT
RGT8NL65DGTL Hakkında
RGT8NL65DGTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V/8A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paket ile sağlanan bu bileşen, düşük geçiş zamanları (Td on: 17ns, Td off: 69ns) ve hızlı reverse recovery time (40ns) özellikleri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.1V Vce(on) değeri ile verimli çalışan bu IGBT, sürücü devreleri, güç kaynakları, motor kontrol ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 65W güç dağılımı ve -40°C ~ 175°C çalışma sıcaklığı aralığı ile geniş uygulama yelpazesine uyumdur.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
12 A
Gate Charge
13.5 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
65 W
Reverse Recovery Time (trr)
40 ns
Supplier Device Package
LPDS
Td (on/off) @ 25°C
17ns/69ns
Test Condition
400V, 4A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V