Görsel mevcut değil
RGT8BM65DTL
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- IGBT 650V 8A 62W TO-252
RGT8BM65DTL Hakkında
RGT8BM65DTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu komponentin maksimum kolektör akımı 8A, darbe akımı ise 12A'dir. 62W güç kaybı sınırlaması ile inverter uygulamaları, motor kontrol devreleri ve güç dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. 13.5nC kapı yükü ve 17/69ns açılış/kapanış gecikme süresi ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışan bileşen, 400V ve 4A test koşullarında 2.1V Vce(on) değerine sahiptir. Reverse recovery süresi 40ns olan bu IGBT, endüstriyel ve ticari güç elektronik uygulamalarında kullanım için tasarlanmıştır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
12 A
Gate Charge
13.5 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
62 W
Reverse Recovery Time (trr)
40 ns
Supplier Device Package
TO-252
Td (on/off) @ 25°C
17ns/69ns
Test Condition
400V, 4A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V