Görsel mevcut değil
RGT80TS65DGC13
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- 5US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
- Ürün Ailesi
- RGT80TS65DGC13
RGT80TS65DGC13 Hakkında
ROHM Semiconductor RGT80TS65DGC13, Trench Field Stop teknolojisine dayalı 650V IGBT transistörüdür. 70A sürekli kollektör akımı ve 120A pulse akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarına uygundur. 5 mikrosaniye kısa devre toleransı sayesinde devre koruması sağlar. 234W maksimum güç disipasyonu ile AC/DC dönüştürücüler, motor kontrol sürücüleri ve endüstriyel güç sistemlerinde kullanılır. TO-247-3 paket tipi ile termik yönetim kolaylığı sağlar. -40°C ile 175°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenli operasyon garantiler. 2.1V Vce(on) değeri ile düşük iletim kayıpları, 34ns açılış ve 119ns kapanış süreleri hızlı anahtarlama uygulamalarına imkan verir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
70 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
79 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
234 W
Reverse Recovery Time (trr)
236 ns
Supplier Device Package
TO-247G
Td (on/off) @ 25°C
34ns/119ns
Test Condition
400V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V
