Görsel mevcut değil
RGT60TS65DGC13
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- 5US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
RGT60TS65DGC13 Hakkında
RGT60TS65DGC13, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V/55A Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel elektrik dönüştürme uygulamalarında, inverter devrelerde, motor kontrol sistemlerinde ve güç kaynağı tasarımlarında kullanılır. 5μs kısa devre toleransı ile koruma özelliği sağlar. 194W maksimum güç yeteneği, 2.1V Vce(on) değeri ve düşük ters iyileşme süresi (58ns) ile verimli çalışma garantiler. -40°C ile +175°C arası çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
55 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
Gate Charge
58 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
194 W
Reverse Recovery Time (trr)
58 ns
Supplier Device Package
TO-247G
Td (on/off) @ 25°C
29ns/100ns
Test Condition
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V