Görsel mevcut değil
RGT60TS65DGC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT 650V 55A 194W TO-247N
RGT60TS65DGC11 Hakkında
RGT60TS65DGC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V/55A Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 194W maksimum güç kapasitesi ile çalışmaktadır. 2.1V düşük açık voltajı (Vce(on)) ve 58ns düşük ters kurtarma zamanı (trr) özellikleri ile yüksek verimli güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. Sürücü devresi gereksinimleri minimal olan 58nC gate charge değeri ile tasarlanmıştır. -40°C ~ 175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Endüstriyel motor kontrolü, welding cihazları, UPS sistemleri ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. Ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
55 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
Gate Charge
58 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
194 W
Reverse Recovery Time (trr)
58 ns
Supplier Device Package
TO-247N
Td (on/off) @ 25°C
29ns/100ns
Test Condition
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V