Görsel mevcut değil
RGT50TS65DGC13
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- 5US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
RGT50TS65DGC13 Hakkında
RGT50TS65DGC13, ROHM Semiconductor tarafından üretilen Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. 650V breakdown voltajı ve 48A kollektör akımı ile güç elektronik uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 5µs kısa devre toleransı sayesinde motor kontrolü, inverter, kaynak makineleri ve endüstriyel güç dönüştürme sistemlerinde güvenilir çalışma sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bileşen, -40°C ile +175°C arasında çalışabilir. 49nC gate charge ve 27ns/88ns açılış/kapanış gecikme süreleri ile düşük güç kaybı ve hızlı anahtarlama özelliklerine sahiptir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
48 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
75 A
Gate Charge
49 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
174 W
Reverse Recovery Time (trr)
58 ns
Supplier Device Package
TO-247G
Td (on/off) @ 25°C
27ns/88ns
Test Condition
400V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V