Görsel mevcut değil
RGT50TS65DGC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT 650V 48A 174W TO-247N
RGT50TS65DGC11 Hakkında
RGT50TS65DGC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 48A collector akımı ve 174W maksimum güç dissipasyonu ile tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında yüksek voltaj kontrol gerektiren devrelerde kullanılır. Düşük Vce(on) değeri (2.1V @ 15V, 25A) ve hızlı anahtarlama zamanı (27ns açılış, 88ns kapanış) ile verimli enerji dönüşümü sağlar. Sürücü devrelerinde, AC/DC konverterlerinde, invörtörlerde ve indüktif yük kontrolünde uygulanır. -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. NOT: Bu ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir; yerini daha yeni teknolojiler almıştır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
48 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
75 A
Gate Charge
49 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
174 W
Reverse Recovery Time (trr)
58 ns
Supplier Device Package
TO-247N
Td (on/off) @ 25°C
27ns/88ns
Test Condition
400V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V