Görsel mevcut değil
RGT50TM65DGC9
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- FIELD STOP TRENCH IGBT
RGT50TM65DGC9 Hakkında
RGT50TM65DGC9, ROHM Semiconductor tarafından üretilen Trench Field Stop IGBT transistördür. 650V maksimum Vce(sat) voltajı ve 21A sürekli kolektör akımı ile çalışan bu bileşen, 47W maksimum güç harcamasına sahiptir. TO-220-3 paket ile sağlanan transistör, -40°C ile +175°C arasında çalışabilir. 49nC gate charge ve 58ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde, 25A akımda 2.1V'tur. Endüstriyel sürücü devreleri, inverterler, motor kontrol uygulamaları ve güç dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
21 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
75 A
Gate Charge
49 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Active
Power - Max
47 W
Reverse Recovery Time (trr)
58 ns
Supplier Device Package
TO-220NFM
Td (on/off) @ 25°C
27ns/88ns
Test Condition
400V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V