Görsel mevcut değil
RGT50NS65DGTL
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- IGBT
RGT50NS65DGTL Hakkında
RGT50NS65DGTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. 650V Collector-Emitter breakdown voltajı ve 48A sürekli akım kapasitesi ile orta güç uygulamalarına uygundur. Vce(on) 2.1V (15V gate voltajında, 25A akımda) olarak belirtilmiş düşük açık durum kaybı sağlar. 194W maksimum güç dağıtımı ile endüstriyel sürücüler, değiştiriciler (inverter), motor kontrol devreleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılabilir. TO-263-3 Surface Mount pakette sunulan komponentin çalışma sıcaklık aralığı -40°C ile 175°C arasındadır. 58ns reverse recovery time ve 27ns/88ns (on/off) delay time özellikleri ile hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalara uyumludur.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
48 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
75 A
Gate Charge
49 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
194 W
Reverse Recovery Time (trr)
58 ns
Supplier Device Package
LPDS
Td (on/off) @ 25°C
27ns/88ns
Test Condition
400V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V