Görsel mevcut değil
RGT50NS65DGC9
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT
RGT50NS65DGC9 Hakkında
RGT50NS65DGC9, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V Trench Field Stop teknolojisine sahip bir IGBT transistördür. 48A sürekli ve 75A darbe kollektör akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-262 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında, inverter devreleri, motor kontrolü ve endüstriyel güç dönüştürme sistemlerinde tercih edilir. 49nC gate charge ve 27ns/88ns hızlı kapatma/açma zamanları ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışan cihazlarda güvenilir operasyon sunar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
48 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
75 A
Gate Charge
49 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status
Active
Power - Max
194 W
Reverse Recovery Time (trr)
58 ns
Supplier Device Package
TO-262
Td (on/off) @ 25°C
27ns/88ns
Test Condition
400V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V