Görsel mevcut değil
RGT50NL65DGTL
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- FIELD STOP TRENCH IGBT
- Ürün Ailesi
- RGT50NL65DG
RGT50NL65DGTL Hakkında
RGT50NL65DGTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 48A maksimum kolektör akımı ve 75A pulsed akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) paket tipinde sunulan bu komponent, güç elektronik uygulamalarında anahtarlama işlevini gerçekleştirmek için kullanılır. Düşük gate charge (49 nC) ve hızlı komütasyon özellikleri (Td on/off: 27ns/88ns) sayesinde verimli enerji dönüşümü sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel sürücü, inverter, konvertör ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 2.1V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı karakteristiği vardır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
48 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
75 A
Gate Charge
49 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
194 W
Reverse Recovery Time (trr)
58 ns
Supplier Device Package
LPDS
Td (on/off) @ 25°C
27ns/88ns
Test Condition
400V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V
