Görsel mevcut değil
RGT40TS65DGC13
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- 5US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
RGT40TS65DGC13 Hakkında
RGT40TS65DGC13, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V/40A Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 5 μs kısa devre toleransı ile yüksek güvenilirlik sağlar. Maksimum 144W güç yönetimi kapasitesi, 40 nC gate charge ve 22ns/75ns anahtarlama süreleri ile verimli güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bu IGBT, endüstriyel sürücü devreleri, UPS sistemleri, kaynak makineleri ve diğer yüksek frekanslı güç elektronik uygulamalarında tercih edilmektedir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
Gate Charge
40 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
144 W
Reverse Recovery Time (trr)
58 ns
Supplier Device Package
TO-247G
Td (on/off) @ 25°C
22ns/75ns
Test Condition
400V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V