Görsel mevcut değil
RGT40TM65DGC9
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- FIELD STOP TRENCH IGBT
RGT40TM65DGC9 Hakkında
RGT40TM65DGC9, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 17A sürekli ve 60A pullu kolektor akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılmaktadır. TO-220-3 Full Pack paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel motorlar, UPS sistemleri, güç kaynakları, enjektör kontrolü ve değişken frekans sürücülerinde (VFD) yaygın olarak uygulanır. 40nC gate charge ile düşük kaptan kaybına sahiptir. 175°C'ye kadar çalışma sıcaklığına sahip olması uzun ömürlü tasarımlar için uygundur.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
17 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
Gate Charge
40 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Active
Power - Max
39 W
Reverse Recovery Time (trr)
58 ns
Supplier Device Package
TO-220NFM
Td (on/off) @ 25°C
22ns/75ns
Test Condition
400V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V