Görsel mevcut değil
RGT40NS65DGC9
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT
RGT40NS65DGC9 Hakkında
RGT40NS65DGC9, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 40A sürekli kolektör akımı ve 60A darbe akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.1V Vce(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sunmaktadır. 58ns reverse recovery time ve 22/75ns açılış/kapanış süreleri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. TO-262-3 paketinde tasarlanan bu IGBT, motor kontrol devreleri, inverterler, AC/DC dönüştürücüler ve endüstriyel güç elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -40°C ile 175°C arasında çalışabilmesi, geniş sıcaklık aralığında güvenilir operasyon imkanı tanır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
Gate Charge
40 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status
Active
Power - Max
161 W
Reverse Recovery Time (trr)
58 ns
Supplier Device Package
TO-262
Td (on/off) @ 25°C
22ns/75ns
Test Condition
400V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V