Görsel mevcut değil
RGT30TM65DGC9
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- FIELD STOP TRENCH IGBT
RGT30TM65DGC9 Hakkında
RGT30TM65DGC9, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, 14A sabit collector akımı ve 45A pulslu akım kapasitesine sahiptir. Maximum 2.1V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 32 nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir; 18ns açılış ve 64ns kapanış zamanı ile 25°C'de çalışır. 55ns reverse recovery time ile enerji verimliliği artırılmıştır. -40°C ile 175°C arasında stabil çalışan bu transistör, güç dönüştürücüler, inverterler, AC/DC ve DC/DC uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
14 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
45 A
Gate Charge
32 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Active
Power - Max
32 W
Reverse Recovery Time (trr)
55 ns
Supplier Device Package
TO-220NFM
Td (on/off) @ 25°C
18ns/64ns
Test Condition
400V, 15A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V