Görsel mevcut değil
RGT30NS65DGTL
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- IGBT 650V 30A 133W TO-263S
RGT30NS65DGTL Hakkında
RGT30NS65DGTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. 30A sürekli kolektör akımı ve 45A pulse akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-263S (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 133W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. Düşük gate charge (32nC) ve hızlı anahtarlama sürelerine (18ns açılış, 64ns kapanış) sahip olup, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, ısıtma uygulamaları ve DC-DC konvertörlerde kullanılabilir. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
45 A
Gate Charge
32 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
133 W
Reverse Recovery Time (trr)
55 ns
Supplier Device Package
LPDS
Td (on/off) @ 25°C
18ns/64ns
Test Condition
400V, 15A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V