Görsel mevcut değil
RGT30NS65DGC9
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT
RGT30NS65DGC9 Hakkında
RGT30NS65DGC9, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 30A sürekli kolektör akımı ve 45A darbe akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 2.1V Vce(on) değeriyle düşük konversiyon kaybı sağlar. 32nC kapı yükü ve 55ns geri kurtarma süresi ile hızlı anahtarlama performansı sunar. -40°C ile 175°C arasında çalışır. Endüstriyel güç dönüştürme uygulamaları, invertörler, motor kontrol devreleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
45 A
Gate Charge
32 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status
Active
Power - Max
133 W
Reverse Recovery Time (trr)
55 ns
Supplier Device Package
TO-262
Td (on/off) @ 25°C
18ns/64ns
Test Condition
400V, 15A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V